– SK hynix
حافظه SK hynix HBM3E تا 8 گیگابیت بر ثانیه
SK hynix اعلام کرده است که 1 میلیارد متر آن برای اولین محصولات مرکز داده تایید شده است. این گره برای تولید حافظههای DDR5 و HBM3E استفاده میشود، دومی نسخهای حتی سریعتر از High-Bandwidth-Memory است.
آنچه همچنین مهم است تأیید این است که ماژول های 1 میلیارد متری نیز توسط HBM3E (HBM3 Extended) استفاده خواهند شد. SK hynix فقط تأیید می کند که این نوع حافظه با پهنای باند بالا سرعت پردازش داده 8 گیگابیت در ثانیه را امکان پذیر می کند و این حافظه ها باید در سال 2024 وارد تولید انبوه شوند. این افزایش 25 درصدی نسبت به HBM3 و 8 برابر بیشتر از حافظه های نسل اول HBM است.
مهمتر از آن، حافظه 1 میلیارد متری DDR5 20 درصد انرژی کمتری نسبت به گره 1 anm مصرف می کند. این به این دلیل است که فرآیند ساخت HKMB مواد ثابت دی الکتریک بالا را معرفی می کند که از جریان نشتی جلوگیری می کند و ظرفیت خازنی را بهبود می بخشد.
“در میان انتظارات رو به رشد مبنی بر اینکه بازار حافظه از نیمه دوم شروع به بهبود خواهد کرد، ما معتقدیم که فناوری پیشرو در صنعت DRAM ما که بار دیگر از طریق تولید انبوه فرآیند 1 میلیارد متری این بار ثابت شده است، به ما در بهبود درآمد از نیمه دوم کمک خواهد کرد.” Jonghwan Kim، رئیس توسعه DRAM در SK hynix گفت که فرآیند 1 میلیارد متری برای طیف وسیع تری از محصولات مانند LPDDR5T و HBM3E در نیمه اول سال 2024 به کار گرفته خواهد شد.
این شرکت تأیید کرد که پلتفرم Xeon Scalable اکنون توسط اینتل برای پشتیبانی از محصولات DDR5 مبتنی بر گره فرآیند 10 نانومتری نسل پنجم تأیید شده است. ارزیابی موفقیتآمیز حافظه 1 میلیارد متری DDR5 درست زمانی اتفاق میافتد که 1anm (گره 10 نانومتری نسل چهارم) به آمادگی رسیده و اعتبارسنجی اینتل را نیز تکمیل کرده است. بر اساس این اعلامیه، اولین حافظه DDR5 سرعت انتقال 6.4 گیگابیت بر ثانیه را ارائه می دهد و نسبت به محصولات در روزهای ابتدایی توسعه DDR5، 33 درصد پیشرفت داشته است.
