فلاش NAND 300 لایه SK Hynix مورد آزمایش قرار گرفت
این شرکت در حال نزدیک شدن به رقابت سهام های نسل هشتم فناوری 3D NAND خود است سخت افزار تام.
SK Hynix با فناوری NAND چند لایه خود در خط مقدم نوآوری ها بوده است. تنها در آگوست سال گذشته، این شرکت از توسعه حافظه فلش 238 لایه 4D NAND خبر داد. پیش بینی می شود این حافظه در نیمه اول سال جاری وارد تولید انبوه شود. اما با ورود این فناوری به بازار، SK Hynix اکنون بیشتر به دنبال آن است.
Tom’s Hardware اطلاعات جدیدی در مورد فناوری نسل هشتم 3D NAND آینده دارد. این گوشی دارای بیش از 300 لایه است که ظرفیت 1 ترابایت (128 گیگابایت) را با تراکم بسیار بالاتر 20 گیگابیت بر میلی‌متر مربع امکان‌پذیر می‌کند. این حافظه 18 درصد سریعتر از حافظه 238 لایه ای خواهد بود و به 194 مگابایت بر ثانیه می رسد.
حافظه NAND آینده 20 گیگابیت بر میلی‌متر مربع، منبع: SK Hynix/Tom’s Hardware
این شرکت اهداف خود را در دستیابی به فلش NAND با چگالی بالاتر به اشتراک گذاشت، از جمله:
- ویژگی برنامه تأیید سه‌گانه (TPGM) که توزیع ولتاژ آستانه سلول را محدود می‌کند و tPROG (زمان برنامه) را تا 10% کاهش می‌دهد که به عملکرد بالاتر ترجمه می‌شود.
- پیش شارژ رشته انتخاب نشده تطبیقی (AUSP) – روش دیگری برای کاهش tPROG تا حدود 2٪.
- طرح All-Pass Rising (APR) که tR (زمان خواندن) را تقریباً 2٪ کاهش می دهد و زمان افزایش خط کلمه را کاهش می دهد.
- تکنیک رشته ساختگی برنامه ریزی شده (PDS) که زمان ته نشینی خط جهانی را برای tPROG و tR با کاهش بار ظرفیت کانال کاهش می دهد.
- قابلیت خواندن مجدد سطح هواپیما (PLRR) که اجازه می دهد تا سطح خواندن هواپیما را بدون پایان دادن به سایرین تغییر دهید، بنابراین دستورات خواندن بعدی را بلافاصله صادر می کند و کیفیت سرویس (QoS) و بنابراین عملکرد خواندن را بهبود می بخشد.
متاسفانه هنوز هیچ جزئیات رسمی در مورد این حافظه 300 لایه ای وجود ندارد. اسلاید و اطلاعات احتمالاً از ارائه اخیر ISSCC است. در واقع، هنوز هیچ اشاره ای به این فناوری آینده در وب سایت SK Hynix نشده است، بنابراین مشخص نیست چه زمانی این فناوری وارد تولید انبوه می شود. با این حال، 2024 حدس خوبی خواهد بود.
منبع: SK Hynix
