«پایان بیانیه مطبوعاتی»
SK hynix اکنون در حال نمونه برداری از حافظه 12 لایه 24 گیگابایتی HBM3 است
آخرین استاندارد HBM3، به ویژه، محصول بهینه برای پردازش سریع حجم زیادی از داده ها در نظر گرفته می شود، و بنابراین پذیرش آن توسط شرکت های بزرگ فناوری جهانی در حال افزایش است.
HBM که برای اولین بار توسط SK hynix در سال 2013 توسعه یافت، به دلیل نقش حیاتی خود در پیاده سازی هوش مصنوعی مولد که در سیستم های محاسباتی با کارایی بالا (HPC) عمل می کند، توجه گسترده ای را از صنعت تراشه های حافظه به خود جلب کرد.
4TSV (از طریق سیلیکون از طریق): یک فناوری اتصال به هم که در بسته بندی های پیشرفته استفاده می شود که تراشه های بالایی و پایینی را با الکترودی که به صورت عمودی از هزاران سوراخ ریز روی تراشه های DRAM عبور می کند، متصل می کند. HBM3 SK hynix که این فناوری را یکپارچه کرده است می تواند تا 819 گیگابایت در ثانیه پردازش کند، به این معنی که 163 فیلم FHD (Full-HD) را می توان در یک ثانیه منتقل کرد.
1HBM (حافظه با پهنای باند بالا): حافظه ای با ارزش و کارایی بالا که به صورت عمودی چندین تراشه DRAM را به هم متصل می کند و سرعت پردازش داده ها را در مقایسه با محصولات سنتی DRAM به طور چشمگیری افزایش می دهد. HBM3 4 استهفتم محصول تولیدی، جایگزین نسل های قبلی HBM، HBM2 و HBM2E
2حداکثر ظرفیت حافظه محصول 8 لایه HBM3 که قبلا توسعه یافته بود 16 گیگابایت بود
3MR-MUF (زیرپر قالبی با جریان مجدد انبوه): روشی برای قرار دادن چند تراشه بر روی زیرلایه زیرین و چسباندن آنها به یکباره از طریق جریان مجدد و سپس پر کردن همزمان شکاف بین تراشه ها یا بین تراشه و زیرلایه با مواد قالب.
سانگ هو هونگ، رئیس پکیج و تست در SK hynix گفت: SK hynix توانست به طور مداوم مجموعه‌ای از محصولات HBM با سرعت فوق‌العاده و ظرفیت بالا را از طریق فناوری‌های پیشرو مورد استفاده در فرآیند back-end توسعه دهد. این شرکت قصد دارد در نیمه اول سال آماده سازی تولید انبوه را برای محصول جدید تکمیل کند تا رهبری خود را در بازار پیشرفته DRAM در عصر هوش مصنوعی تقویت کند.
مهندسان SK hynix کارایی فرآیند و پایداری عملکرد را با استفاده از Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) بهبود بخشیدند.3 فناوری به آخرین محصول، در حالی که از طریق سیلیکون از طریق (TSV)4 فناوری ضخامت یک تراشه DRAM را تا 40 درصد کاهش داد و به همان سطح ارتفاع پشته محصول 16 گیگابایتی دست یافت.
SK hynix نمونه هایی از محصول 24 گیگابایتی HBM3 خود را در اختیار مشتریان متعددی قرار داده است که انتظارات زیادی برای آخرین محصول ابراز کرده اند، در حالی که ارزیابی عملکرد محصول در حال انجام است.
SK hynix اولین HBM3 12 لایه ای صنعت را توسعه می دهد و نمونه هایی را به مشتریان ارائه می دهد
- محصول HBM3 را با بزرگترین ظرفیت حافظه 24 گیگابایتی صنعت توسعه می دهد. ارزیابی عملکرد مشتریان از نمونه ها در حال انجام است
- دارای ظرفیت بالا و عملکرد بالا از طریق انباشتن 12 تراشه DRAM
- برنامه ریزی برای تکمیل آماده سازی برای تولید انبوه تا نیمه اول سال 2023، با هدف تحکیم رهبری شرکت در بازار پیشرفته DRAM
SK hynix Inc. (یا “شرکت”، www.skhynix.com) امروز اعلام کرد که اولین محصول صنعت است که محصول 12 لایه HBM31 با ظرفیت حافظه 24 گیگابایت (GB) 2 را توسعه می دهد که در حال حاضر بزرگترین محصول در صنعت است. و گفت: ارزیابی عملکرد مشتریان از نمونه ها در حال انجام است.
SK hynix گفت: «شرکت موفق به توسعه محصول بسته 24 گیگابایتی شد که ظرفیت حافظه را 50 درصد نسبت به محصول قبلی افزایش داد، پس از تولید انبوه اولین HBM3 جهان در ژوئن سال گذشته. ما قادر خواهیم بود محصولات جدید را از نیمه دوم سال به بازار عرضه کنیم، مطابق با تقاضای فزاینده برای محصولات حافظه برتر که توسط صنعت چت بات های مبتنی بر هوش مصنوعی هدایت می شود.
